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| 订货编号 | 产品名称 | 规格 | 包装 | 原价 | 现价 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A64725-1g | 氮化铟(III) | ≥99.9% | 1g | 1715.00 | 1715.00 |
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| A64725-5g | 氮化铟(III) | ≥99.9% | 5g | 6734.00 | 6734.00 |
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化学性质
危险属性
质量标准
质检报告
采购询价
问答
1. 基本性质：
- 分子式为InN，相对分子质量约为128.83。
- 在常温常压下的稳定相是六方纤锌矿结构，是一种直接带隙半导体材料。
- 密度为6.88g/cm³，熔点约为1900°C。
- 外观上，氮化铟是一种黑色固体，在室温下呈现金属光泽。
2. 电子输运性能：氮化铟具有优良的电子输运性能，这是其作为半导体材料的一个重要特点。它的载流子浓度较高，费米能级在导带之上，这使其在电子器件中具有较好的导电性能。
3. 光学性质：氮化铟的光致发光特性较为独特。由于其本身具有很高的背景载流子浓度，通过能带关系图以及相关公式拟合光致发光图谱可以得到生长的氮化铟的带隙为0.67cV。此外，氮化铟的光致发光强度随温度的升高逐渐降低，发光峰位随温度的升高只是红移，并没有出现“S”形的非单调变化。
4. 化学稳定性：氮化铟在常温常压下相对稳定，但在高温或特定条件下可能会发生分解或反应。例如，它易被酸和碱分解。
5. 制备方法：氮化铟通常是通过化学气相沉积（CVD）或分子束外延（MBE）等方法制备的。这些方法可以在控制的条件下生长出高质量的氮化铟薄膜或纳米结构。
6. 应用前景：氮化铟有望应用于制造新型高频太拉赫兹通信的光电子器件、光电探测器等领域。此外，它还可能在太阳能电池等领域发挥作用。
1. GHS分类：
- 氮化铟(III)通常被归类为非危险物质或混合物。然而，这并不意味着它完全没有潜在风险。在特定条件下，如高温或与其他化学物质混合时，可能存在安全隐患。
2. 安全术语：
- 避免吸入粉尘、气体、烟、雾、蒸气、喷雾。
- 使用个人防护装备，如防尘口罩、护目镜和防护服。
- 在通风良好的地方操作，避免长时间暴露于该物质中。
3. 风险术语：
- 吸入可能导致呼吸道刺激或不适。
- 皮肤接触可能引起过敏反应或皮炎。
- 眼睛接触可能导致刺激或损伤。
- 误食可能有害健康。
4. 急救措施：
- 吸入：将患者移至新鲜空气处，如有必要，进行人工呼吸。
- 皮肤接触：用肥皂和大量水冲洗，如有需要，寻求医疗帮助。
- 眼睛接触：用水冲洗眼睛，并寻求医疗帮助。
- 误食：切勿给失去知觉者喂食任何东西，用水漱口，并立即就医。
5. 消防措施：
- 灭火介质：使用适当的灭火剂，如干粉或二氧化碳灭火器。
- 特殊危害：燃烧时可能产生有毒烟雾。
- 给消防员的建议：佩戴自给式呼吸器和全身防护服。
6. 泄漏应急处理：
- 作业人员防护措施：穿戴适当的个人防护装备。
- 环境保护措施：防止泄漏物进入水体或土壤。
- 泄漏化学品的收容、清除方法及所使用的处置材料：使用合适的工具收集泄漏物，并将其放入封闭容器中待处理。
7. 操作处置与储存：
- 安全操作注意事项：在有粉尘生成的地方提供合适的排风设备。
- 安全储存条件：贮存在阴凉、干燥、通风良好的地方，避免阳光直射。
- 不相容性：避免与强氧化剂、酸类等物质混合。
8. 接触控制和个体防护：
- 职业接触限值：根据相关标准设定。
- 暴露控制：通过工程控制和个人防护来减少暴露。
- 个体防护装备：包括呼吸系统防护（如N95口罩）、眼睛防护（如护目镜）、身体防护（如防护服）和手部防护（如耐化学手套）。
9. 废弃处置：
- 废弃处置方法：按照当地法规和环保要求进行处置。
- 废弃注意事项：确保废弃物不会对环境造成污染。
10. 安全数据表（SDS）：
- SDS提供了关于氮化铟(III)的详细信息，包括物理化学性质、稳定性和反应性、毒理学信息、生态学信息、废弃处置、运输信息、法规信息以及应急响应等信息。这些信息对于了解和使用氮化铟(III)至关重要。
1. 外观与性状：
- 氮化铟(III)通常为黑色粉末，具有金属光泽。
2. 物理性质：
- 密度：约为6.88 g/cm³。
- 熔点：约1900°C。
- 沸点：具体数值未明确提及，但通常高于其熔点。
- 折射率：未确定具体数值。
3. 化学性质：
- 氮化铟(III)在常温常压下稳定，避免接触强氧化剂和酸。
- 它是一种半导体材料，具有优良的电子输运性能和窄的能带。
4. 纯度：
- 氮化铟(III)的纯度是衡量其质量的重要指标之一。高纯度的氮化铟(III)对于其在半导体和其他高科技领域的应用至关重要。
- 市场上常见的氮化铟(III)纯度规格包括99.9%（即三个九纯度）等。
5. 杂质含量：
- 除了纯度外，氮化铟(III)中的杂质含量也是影响其质量的重要因素。
- 杂质可能包括其他金属元素、非金属元素或化合物，它们的存在会影响氮化铟(III)的电学、光学和机械性能。
6. 制备方法与工艺条件：
- 氮化铟(III)的制备方法对其质量也有显著影响。
- 常用的制备方法包括化学气相沉积（CVD）、分子束外延（MBE）等。
- 制备过程中的工艺条件，如温度、压力、反应物浓度等，都会影响最终产物的质量。
7. 应用领域与特殊要求：
- 氮化铟(III)广泛应用于光电器件、高频电子器件和光电子器件等领域。
- 不同应用领域对氮化铟(III)的质量要求可能有所不同。例如，在高频电子器件中，可能需要特别关注其电子迁移率和电阻率；而在光电器件中，则可能更注重其光学性能和稳定性。
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