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| 订货编号 | 产品名称 | 规格 | 包装 | 原价 | 现价 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A28558-5g | 锑化铟 | ≥99.99999% metals basis | 5g | 784.00 | 784.00 |
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危险属性
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1. 基本特性
- 分子结构和物理性质：锑化铟的化学式为InSb，分子量为236.578 g/mol。它的晶体结构是闪锌矿型，具有立方晶系，晶格常数约为0.6478 nm。这种结构使其具有良好的电学和光学性能。
- 密度和熔点：锑化铟的密度为5.775 g/cm³，熔点在525℃左右。这些特性使其在高温应用中表现出色。
- 颜色和外观：该化合物通常以黑色晶体形式存在，并具有一定的金属光泽。
2. 热学性质
- 热导性：锑化铟具有较高的热导性，这在高功率电子设备中尤为重要，有助于散热并保持设备的稳定性。
- 热膨胀系数：其热膨胀系数较低，这使得它在温度变化较大的环境中仍能保持结构稳定。
3. 电学性质
- 导电性：锑化铟是一种直接带隙半导体，室温下禁带宽度为0.17 eV，低温（80开尔文）工作时的禁带宽度为0.233 eV。这使得它在红外光谱范围内具有优异的光电性能。
- 载流子迁移率：其电子迁移率高达10 m²/(V·s)，而空穴迁移率为0.17 m²/(V·s)。这种高电子迁移率使其在高速电子器件中表现优异。
- 本征载流子浓度和电阻率：在室温下，本征载流子浓度为1.1×10²² m⁻³，本征电阻率为6×10⁻⁴ Ω·m。
4. 光学性质
- 光吸收和折射率：锑化铟在中红外波段（3-5 µm）具有高光吸收能力，适用于制造高效的红外探测器。
- 量子效率：由于其窄带隙特性，锑化铟在光谱范围内属于本征吸收，拥有近百分之百的量子效率，这在红外探测领域尤为关键。
5. 化学稳定性
- 水溶性：锑化铟在水中不溶解，这一特性使其在某些化学环境下更为稳定。
- 抗氧化性：尽管锑化铟在常温下较为稳定，但在高温或特定环境下可能与氧气发生反应，因此需注意保护措施。
6. 环境影响
- 毒性和环境风险：锑化铟被归类为有害物品，对环境和人体健康有一定风险。吸入或吞食可能有害，对水生生物有毒，可能对水体环境产生长期不良影响。
- 安全处理：在处理和储存锑化铟时，应遵循相应的安全规范，避免其释放到环境中。使用防护装备如手套和护目镜是必要的。
一、GHS分类
- GHS危险性类别：根据《全球化学品统一分类和标签制度》（GHS），锑化铟属于有害物品，危害环境。
二、安全术语
- S61：避免释放至环境中。参考特别说明/安全数据说明书。
三、风险术语
- R20/22：吸入及吞食有害。
- R51/53：对水生生物有毒，可能对水体环境产生长期不良影响。
四、急救措施
- 皮肤接触：立即脱去污染的衣物，用大量流动清水冲洗至少15分钟。就医。
- 眼睛接触：提起眼睑，用流动清水或生理盐水彻底冲洗至少15分钟。就医。
- 吸入：迅速脱离现场至空气新鲜处，保持呼吸道通畅。如呼吸困难，给输氧。如呼吸停止，立即进行人工呼吸并就医。
- 食入：饮足量温水，催吐并就医。
五、消防措施
- 灭火方法：锑化铟不燃，但周围起火时，使用适合周围火源的灭火剂。
- 特殊注意事项：灭火时可能会产生有毒气体，需穿戴适当的防护装备。
六、泄漏应急处理
- 个人防护：避免吸入粉尘和接触皮肤，穿戴适当的防护服、手套和护目镜。
- 环境保护：防止泄漏物进入水体，控制泄漏范围。
- 清理方法：收集粉末并置于密封容器中待处理，小量泄漏可用湿沙或其他惰性材料吸收并妥善处置。
七、废弃处置
- 处置方式：根据当地法规进行处置，不可直接排入环境。建议联系专业废物处理公司进行处理。
八、安全数据表（SDS）
- 内容：包含上述所有信息以及详细的理化性质、毒理学数据、生态学数据、运输信息等。
一、物理性质
1. 晶体结构：
- 锑化铟具有面心立方晶体结构，这决定了其优良的电子传输性能和物理特性。
- 晶格常数约为6.479 Å，这一参数对材料的电子特性有重要影响。
2. 密度和硬度：
- 锑化铟的密度为5.78 g/cm³，这影响到材料在不同应用中的质量和强度要求。
- 莫氏硬度为3.8，相对较低，表明其较软，易加工但耐磨损性较差。
3. 熔点：
- 锑化铟的熔点为525°C，较低的熔点使其在高温下易于加工，但也限制了其在高温环境中的应用。
二、化学性质
1. 化学稳定性：
- 锑化铟在室温下具有良好的化学稳定性，不易与大多数物质发生反应。但在高温或特定化学环境下，其稳定性会降低，可能发生化学反应或分解。
2. 反应活性：
- 对强酸和强碱敏感，需在特定的化学条件下处理和储存以防止其性能下降。
三、电子性质
1. 能带结构：
- 锑化铟的禁带宽度极窄（约0.17 eV at 300K），这使得它对红外光具有极高的灵敏度，是其在红外探测领域广泛应用的关键因素。
2. 载流子迁移率：
- 锑化铟拥有极高的电子迁移率（约7.7×10^4 cm²/V·s），这使得它在高速电子设备和高频率应用中表现出色。
3. 导电类型和载流子浓度：
- 锑化铟可以是N型或P型半导体，通过掺杂可以控制其导电类型。
- 载流子浓度范围通常在1-5x10¹⁴至1-2x10¹⁵之间，具体取决于材料的纯度和掺杂情况。
四、材料制备和缺陷控制
1. 制备方法：
- 锑化铟的制备方法多样，包括粉末冶金法、化学气相沉积（CVD）、物理气相沉积（PVD）和分子束外延（MBE）等。每种方法都有其特定的优势和应用领域，选择合适的制备技术对实现特定应用需求至关重要。
2. 缺陷控制：
- 位错密度应低于10² cm⁻²，以减少晶体缺陷对电子传输性能的影响。
- 晶体缺陷如人工金属单晶中的常见晶体缺陷等需要控制在可接受的范围内。
五、表面质量和尺寸规格
1. 表面粗糙度：
- 表面粗糙度应小于15Å，以确保良好的光学和电子性能。
2. 尺寸规格和公差：
- 根据具体应用需求，锑化铟的尺寸规格和公差需要严格控制。例如，常规晶向为（100），公差为±0.5º。
六、环境和安全指标
1. 环境适应性：
- 锑化铟在常温下对人体和环境无明显危害，但在处理和制备过程中需注意防止粉尘吸入和皮肤接触。
2. 安全措施：
- 使用时需遵循一般化学实验室的操作规范和安全措施，如佩戴防护眼镜和手套等。
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