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西亚试剂 —— 品质可靠,值得信赖
订货编号 | 产品名称 | 规格 | 包装 | 原价 | 现价 | 数量 | 操作 |
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A28555-2g | 砷化铟 | ≥99.0% metals basis | 2g | 455.00 | 455.00 |
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化学性质
危险属性
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问答
1. 物理性质
- 颜色:砷化铟通常呈灰色或银灰色,具有金属光泽。
- 结构:它以闪锌矿型的晶体结构存在,晶格常数约为0.6058纳米。
- 密度:其密度为5.67克/立方厘米。
- 熔点:砷化铟的熔点较高,约为943摄氏度。
- 溶解性:它不溶于水。
2. 电学性质
- 电子迁移率:砷化铟具有较高的电子迁移率和迁移率比值,这使得它在高速电子设备中非常有用。
- 能带结构:它是一种直接带隙半导体,禁带宽度在300K时约为0.45电子伏特。
3. 光学性质
- 光吸收与发射:由于其直接带隙特性,砷化铟在光电器件如激光器和探测器中有广泛应用。它的发射波长在3.34微米左右。
4. 毒性
- 急性毒性:砷化铟具有一定的毒性,小鼠皮下植入的半数致死剂量(LD50)为32500毫克/公斤。
- 生殖毒性:大鼠的生殖毒性试验表明,砷化铟可能对生殖系统产生不良影响。
5. 环境影响
- 生态毒性:砷化铟对水生环境有害,即使是少量渗入地下也可能污染饮用水源。
1. GHS分类
- GHS危险性类别:根据全球化学品统一分类和标签制度(GHS),砷化铟被归类为第6.1类物质,即有毒物质。
2. 安全术语
- S28:接触后用大量清水冲洗。
- S36/37:穿戴适当的防护服和手套。
- S45:如不慎入眼,立即用水冲洗眼睛至少15分钟,并就医。
- S60:不得排放到环境中。
- S61:避免释放到环境中,确保容器在良好条件下存放。
3. 风险术语
- R23/25:吸入或皮肤接触可能致命。
- R33:对水生环境有潜在的有害影响。
- R50/53:对水生生物有极高毒性,可能在水生环境中造成长期负面影响。
4. 急救措施
- 吸入:迅速将受害者转移到新鲜空气中,保持呼吸通畅。如果呼吸困难,给予氧气。如果呼吸停止,立即进行人工呼吸,并寻求医疗援助。
- 皮肤接触:立即脱去受污染的衣物,用大量水冲洗受影响的皮肤区域至少15分钟,并寻求医疗帮助。
- 眼睛接触:立即用大量水冲洗眼睛至少15分钟,同时翻开眼睑以确保彻底冲洗,并尽快看医生。
- 食入:不要催吐,立即寻求医疗帮助。
5. 消防措施
- 灭火方法:使用适合扑灭周围火灾的方法。砷化铟本身不易燃,但可能会因高温分解产生有毒烟雾。
- 特殊风险:燃烧时可能会释放出有毒气体。
- 防护设备:消防人员必须佩戴自给式呼吸器和全身防护服。
6. 泄漏应急处理
- 个人防护:穿戴化学防护服、防护眼镜和防护手套。
- 环境保护:避免泄漏物进入水体或下水道。
- 清理方法:小心收集泄漏物,并将其转移到适当的废物处理容器中。使用适当的吸附剂或其他清理技术来控制泄漏范围。
7. 废弃处置
- 处置方法:砷化铟及其废物应按照当地法规进行处理。通常需要交由合格的废物处理设施进行处理,以避免对环境和人类健康造成危害。
8. 安全数据表(SDS)
- 安全数据表提供了详细的化学品信息,包括物理化学性质、毒理学信息、生态学信息、泄漏应急处理、储存和使用建议等。所有与砷化铟相关的操作人员都应熟悉其SDS内容,并严格遵守相关规定以保障安全。
一、物理性质
1. 化学式:InAs
2. 分子量:189.74 g/mol
3. 晶体结构:闪锌矿型结构(立方晶系)
4. 颜色:灰色固体
5. 熔点:943°C
6. 沸点:约在960°C以上
7. 密度:5.67 g/cm³
8. 溶解性:不溶于水
二、电学性能
1. 能带结构:直接带隙半导体,带隙宽度为0.35 eV(室温下)
2. 电子迁移率:高电子迁移率(~18,500 cm²/V·s),适用于高速电子设备
3. 载流子浓度:未掺杂时约为1×10¹⁶ cm⁻³,具体数值取决于制备工艺和纯度
4. 电阻率:较低,通常在n型掺杂下电阻率可降至10⁻⁴ Ω·cm以下
三、纯度与杂质控制
1. 纯度:高纯度的砷化铟是制造高性能电子器件的基础,通常要求总杂质含量低于10 ppmw(每百万重量份数)。
2. 主要杂质元素:碳、氧、硅等轻元素以及过渡金属如铁、铜等,这些杂质会显著影响材料的电学性能。
3. 控制方法:通过精细化的合成工艺和后续的纯化步骤来控制杂质含量。
四、表面质量与形态控制
1. 表面质量:对于薄膜材料,表面平整度和粗糙度是关键指标,影响器件的性能和可靠性。
2. 形态控制:包括纳米颗粒、量子点等特定形态的砷化铟材料,其尺寸分布和形状对性能有重要影响。
五、其他特殊指标
1. 红外透过率:砷化铟在中红外波段具有良好的透过性,适用于制造红外光学元件。
2. 热导率:砷化铟的热导率也是评价其性能的一个方面,尤其是在大功率电子器件中。
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