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硒化铟，英文名称为indium selenide，CAS号为12056-07-4，分子式为In2Se3，分子量为466.516，为黑色晶体或暗黑色鳞片状物质，常温密闭，阴凉通风干燥，避免光，明火，高温，溶于强酸中易分解。
物质结构
通过In-Te熔融体的X射线衍射研究指出有六种二元化合物，In4Te3、InTe、In3Te4、In2Te3、In3Te5、In2Te5。其中研究最多的是InSe和In2Se3。
In2Se3主要包括α、β、γ、δ和κ五种晶体结构。
α-硒化铟晶体（alpha indium selenide）的材料具有铁电特性，克服了常规铁电材料的局限性，常规铁电材料通常用作绝缘体，不允许电流通过。α-硒化铟晶体材料可以成为晶体管元件必需的半导体，又可以成为铁电RAM所需的室温下稳定、只需低电压的铁电部件。
研究进展
2016年11月，曼彻斯特大学和诺丁汉大学的研究人员合成纳米级超薄硒化铟，仅有几层原子的厚度，并表现出优于硅的半导体性能，是未来替代硅制作电子芯片的理想材料。
硒化铟，英文名称为indium selenide，CAS号为12056-07-4，分子式为In2Se3，分子量为466.516，为黑色晶体或暗黑色鳞片状物质，常温密闭，阴凉通风干燥，避免光，明火，高温，溶于强酸中易分解。
物质结构
通过In-Te熔融体的X射线衍射研究指出有六种二元化合物，In4Te3、InTe、In3Te4、In2Te3、In3Te5、In2Te5。其中研究最多的是InSe和In2Se3。
In2Se3主要包括α、β、γ、δ和κ五种晶体结构。
α-硒化铟晶体（alpha indium selenide）的材料具有铁电特性，克服了常规铁电材料的局限性，常规铁电材料通常用作绝缘体，不允许电流通过。α-硒化铟晶体材料可以成为晶体管元件必需的半导体，又可以成为铁电RAM所需的室温下稳定、只需低电压的铁电部件。
研究进展
2016年11月，曼彻斯特大学和诺丁汉大学的研究人员合成纳米级超薄硒化铟，仅有几层原子的厚度，并表现出优于硅的半导体性能，是未来替代硅制作电子芯片的理想材料。