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西亚试剂 —— 品质可靠，值得信赖
| 订货编号 | 产品名称 | 规格 | 包装 | 原价 | 现价 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A64963-1g | 锑化镓 | ≥99.99% | 1g | 455.00 | 455.00 |
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| A64963-5g | 锑化镓 | ≥99.99% | 5g | 1544.00 | 1544.00 |
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| A64963-250mg | 锑化镓 | ≥99.99% | 250mg | 135.00 | 135.00 |
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危险属性
化学性质
质量标准
采购询价
1. GHS分类：
- 急性毒性, 经口 (类别 4)
- 急性毒性, 吸入 (类别 4)
- 急性水生毒性 (类别 2)
- 慢性水生毒性 (类别 2)
2. 安全术语：
- S61：避免排放到环境中。参考专门的说明/安全数据表。
3. 风险术语：
- R20/22：吸入和不慎吞咽有害。
- R51/53：对水生生物有毒，可能导致对水生环境的长期不良影响。
4. 急救措施：
- 一般建议：请教医生。向到现场的医生出示此安全技术说明书。
- 吸入：如果吸入，请将患者移到新鲜空气处。如呼吸停止，进行人工呼吸。请教医生。
- 皮肤接触：用肥皂和大量的水冲洗。请教医生。
- 眼睛接触：谨慎起见用水冲洗眼睛。
- 食入：切勿给失去知觉者喂食任何东西。用水漱口。请教医生。
5. 消防措施：
- 灭火介质：用水雾、抗乙醇泡沫、干粉或二氧化碳灭火。
- 特别危害：氧化铋、氧化锑。
- 给消防员的建议：如必要的话，戴自给式呼吸器去救火。
6. 泄漏应急处理：
- 作业人员防护措施、防护装备和应急处置程序：使用个人防护用品。避免粉尘生成。避免吸入蒸气、烟雾或气体。保证充分的通风。避免吸入粉尘。
- 环境保护措施：如能确保安全，可采取措施防止进一步的泄漏或溢出。不要让产品进入下水道。
- 泄漏化学品的收容、清除方法及所使用的处置材料：收集和处置时不要产生粉尘。扫掉和铲掉。放入合适的封闭的容器中待处理。
7. 废弃处置：
- 将内装物/容器送到批准的废物处理厂处理。
8. 安全数据表（MSDS）：
- MSDS提供了关于锑化镓的详细安全信息，包括物理化学性质、毒性和生态影响、急救措施、消防措施、泄漏应急处理和废弃处置等。
1. 基本性质：
- 锑化镓是一种由镓（Ga）和锑（Sb）元素组成的化合物，其化学式为GaSb。
- 它属于立方晶系，具有闪锌矿结构，晶胞中有八个原子。
- 锑化镓的密度约为5.61克/立方厘米。
- 它的熔点较高，约为710°C至980°C不等，具体取决于文献来源。
- 在水溶性方面，锑化镓不溶于水。
2. 导电性与光电属性：
- 锑化镓是一种半导体材料，具有较高的电导率，其电导率可以通过掺杂进行调节，因此可以用于制造电子器件，如高速晶体管。
- 它对可见光和红外光具有较好的响应性能，被广泛应用于红外光电器件、激光器和光电探测器等领域。
3. 化学稳定性：
- 锑化镓在一般常温下相对稳定，但在高温和强氧化性环境下会发生化学反应。
- 在一定电势下，锑化镓电极会生成氧化膜，主要成分为难溶的氧化锑（Sb2O3），这层氧化膜的存在抑制了锑化镓的进一步腐蚀。
4. 反应特性：
- 锑化镓在室温条件下与氧气不发生氧化反应，但加热超过熔点时，锑粉能与氧气反应生成三氧化二锑（Sb2O3）。
- 锑化镓不溶于水、盐酸、碱液，但溶于王水及热的浓硫酸。
- 锑化镓还可以与多种金属形成合金，这些合金在工业上具有广泛的应用价值。
5. 应用领域：
- 由于锑化镓的独特性质，它在电子和半导体器件的制造中具有广泛的应用。例如，它可以用于制造高速电子器件、高频传感器、激光器以及太阳能电池等。
- 在光纤通信领域，锑化镓作为衬底材料引起了更多的注意，因为它可以与各种Ⅲ-Ⅴ族材料的三元、四元固熔体合金的晶格常数相匹配，这些材料光谱的范围符合光纤通信的要求。
需要注意的是，锑化镓具有一定的毒性和环境危害性。在处理和使用过程中应采取适当的安全措施，避免直接接触皮肤和眼睛，以及吸入其粉尘和蒸气。同时，废弃的锑化镓应按照相应的法规进行处理，以防止对环境造成
1. 物理性质：
- 密度：锑化镓的密度通常为5.61克/立方厘米。
- 熔点：其熔点在980°C左右。
- 折射率：锑化镓的折射率较高，最大值可达5.24（在2.0eV时），并且随着光子能量的增加而减少。
- 溶解度：锑化镓几乎不溶于水。
- 外观性状：通常为灰白色，立方晶系闪锌矿型结晶。
2. 化学性质：
- 抗磁性：锑化镓是抗磁性的。
- 稳定性：在常温常压下稳定，但应避免与氧化物、酸、碱等物质接触。
- 制备方法：可以通过在惰性气氛中将等量的镓和锑熔化在一起而获得。
3. 电气性质：
- 带隙：锑化镓的带隙为0.72 eV（300K），属于直接型半导体。
- 载流子浓度和迁移率：未掺杂的高纯度锑化镓单晶残余受主浓度< 1.4×10 cm^-3，迁移率≈690 cm/V s（在300 K）。掺杂后的锑化镓晶体载流子浓度会显著增加，如硅掺杂可高达2×10 cm^-3，锌掺杂可高达1×10 cm^-3，碲掺杂n型锑化镓单晶浓度也可高达2×10 cm^-3。
4. 光学性质：
- 透射率：在3.3eV时，锑化镓的透射率达到最大值0.20。
- 吸收系数：最大值为1.76×10^8 m^-1（即1.76×10^6 cm^-1），这是典型的半导体带间吸收。
- 反射系数：在4.3 eV时达到最大值0.82，表明锑化镓具有很高的吸收率。
5. 机械性能：
- 硬度：莫氏硬度为1.5至6之间。
- 脆性：锑化镓材料较软且易产生划痕，因此在加工过程中需要特别注意。
6. 表面质量：
- 抛光质量：由于锑化镓材料表面极易氧化且化学性质非常活泼，因此对其表面质量要求较高。采用化学机械抛光（CMP）方法可以有效提高其表面质量，但抛光工艺需要特别设计以避免产生划痕和凹坑等缺陷。
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