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西亚试剂 —— 品质可靠，值得信赖
| 订货编号 | 产品名称 | 规格 | 包装 | 原价 | 现价 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A64728-5g | 氮化镓 | ≥99.99% | 5g | 894.00 | 894.00 |
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| A64728-25g | 氮化镓 | ≥99.99% | 25g | 3304.00 | 3304.00 |
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化学性质
危险属性
质量标准
采购询价
1. 熔点与密度：氮化镓的熔点约为1700℃，密度为6.1g/cm³。这些物理性质使得氮化镓在高温和高压环境下仍能保持稳定。
2. 导电性：氮化镓是一种半导体材料，具有良好的电子传导性能。其在室温下的导电性能比硅和锗更好，而且在高温、高电场下的电导率也比较高。这使得氮化镓在电子器件中的应用非常广泛，如LED、激光器和功率放大器等。
3. 光学性质：氮化镓具有较宽的能隙，在400-450纳米范围内可以吸收和发射可见光。因此，它被广泛应用于LED和激光器等光电子器件中。
4. 化学稳定性：氮化镓具有较高的化学稳定性，能够在很多常见的化学环境下保持其性质稳定。然而，在受强酸和强碱的侵蚀下，它会逐渐溶解。此外，氮化镓在1050℃开始分解，但在氮气或氦气中当温度为1000℃时是稳定的。
5. 热导性：氮化镓具有良好的热导性能，具有高热传导率和较低的热膨胀系数。这使得它在高温电子器件中应用广泛，如高频功率放大器和热散热器等。
6. 抗辐照能力：氮化镓具有较强的抗辐照能力，这使其在空间科学和核技术领域具有潜在的应用
1. GHS分类：
- 氮化镓在GHS分类中通常被归类为易燃固体，类别为4.1。
2. 安全术语：
- S26In case of contact with eyes, rinse immediately with plenty of water and seek medical advice.
眼睛接触后，立即用大量水冲洗并征求医生意见。
- S36/37/39Wear suitable protective clothing, gloves and eye/face protection.
穿戴适当的防护服、手套和眼睛/面保护。
3. 风险术语：
- R20Harmful by inhalation.
吸入有害。
- R36/38Irritating to skin and eyes.
刺激皮肤和眼睛。
4. 急救措施：
- 吸入：如果吸入，请将患者移到新鲜空气处。如呼吸停止，进行人工呼吸。请教医生。
- 皮肤接触：用肥皂和大量的水冲洗。
- 眼睛接触：用水冲洗眼睛作为预防措施。
- 食入：切勿给失去知觉者从嘴里喂食任何东西。
5. 消防措施：
- 氮化镓本身不燃烧，但受热时会释放出有毒的氮氧化物气体。
- 灭火介质包括干粉、泡沫和二氧化碳。
6. 泄漏应急处理：
- 个人防护措施：避免产生和吸入灰尘。使用适当的防护装备。
- 环境保护措施：防止对环境的污染。
- 清洁方法：小心地铲起，放入塑料袋中等待处理。
7. 废弃处置：
- 产品和容器应按照当地法规进行处理，不得将其排入周围环境。
8. 安全数据表（SDS）：
- 氮化镓的SDS提供了关于其物理化学特性、稳定性和反应性、毒理学信息、生态学信息、废弃处置、运输信息以及法规信息等详细资料。
1. 晶体结构与缺陷
- 晶体结构：氮化镓晶体采用立方晶系结构，其晶胞中包含了具有六方密堆积结构的原子排列。这种结构称为闪锌矿结构或者螺旋状烯结构，它是由镓原子和氮原子所构成的共价键和离子键交替排列而成。
- 缺陷类型：氮化镓晶体中的晶格常常包含杂质原子，例如硅、碳等，这些杂质原子的掺杂可以调节氮化镓的电性能和光学性能，使其适用于不同的应用领域。
- 位错密度：位错是晶体中的一种线缺陷，影响材料的机械强度和电子迁移率。高质量的氮化镓应具有较低的位错密度。
2. 物理性质
- 能隙宽度：氮化镓的能隙较宽，为3.4eV，这使得它在可见光区域具有较高的透明度，对于LED和激光器等光电子器件至关重要。
- 硬度与熔点：氮化镓具有较高的硬度，接近于蓝宝石（莫氏硬度约为9），且熔点约为1700℃，这使得它能够抵抗一定程度的机械应力和划痕，并在高温下保持稳定。
- 热导率：氮化镓具有优异的热传导性能，相对于其他半导体材料来说是较高的。这种高热导率使得氮化镓器件在工作时能够有效地散热，降低温度梯度，提高器件的性能和可靠性。
3. 化学稳定性
- 耐腐蚀性：氮化镓具有较好的化学稳定性，能够抵抗许多常见的化学腐蚀和氧化反应，如酸、碱、溶剂等。这使得氮化镓能够在各种恶劣的环境条件下保持性能稳定。
- 抗分解性：氮化镓在遵照规格使用和储存的条件下不会分解，但在高温或特定化学物质存在下可能会发生分解。
4. 电学性质
- 电子迁移率：氮化镓具有优异的电子迁移率，通常在几百到几千cm²/(V·s)的范围内，这使得其在高频率和高功率电子器件中具有优异的性能。
- 击穿电压：氮化镓具有较高的击穿电场，这意味着它能够承受更高的电压而不会导电，这对于电力电子器件来说是非常重要的。
- 饱和漂移速度：氮化镓的电子饱和漂移速度较高，这使得它在高频应用中表现出色。
5. 光学性质
- 折射率：氮化镓的折射率较高，这使得它在光学耦合方面具有优势。
- 光吸收系数：氮化镓在可见光区域具有较高的透明度和较低的吸收系数，这使得它在LED和激光器等光电子器件中能够实现高效能量转换。
6. 制备工艺与成本
- 制备方法：氮化镓的生长是在高温下，通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）等方法实现的。生长氮化镓需要一定的生长温度和NH3分压。
- 衬底选择：氮化镓单晶不能从自然界中直接获取，需要人工制备。目前GaN器件主要采用蓝宝石、SiC、Si等衬底，但外延层GaN和异质衬底之间存在晶格失配和热失配问题，这影响了器件的性能和成本。
- 成本控制：随着技术的进步和生产成本的降低，氮化镓有望在更多的领域内实现突破，满足不同应用场景的需求。
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